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Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
20
V GS = 4.5V
V GS = 4.0V
4.0
3.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
16
12
8
V GS = 10V
V GS = 6V
V GS = 3.5V
3.0
2.5
2.0
V GS = 3.5V
V GS = 4.0V
V GS = 4.5V
1.5
4
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.0
V GS = 6V
V GS = 10V
0
0.5
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
I D = 6.1A
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
60
PULSE DURATION = 300 μ s
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
50
40
30
DUTY CYCLE = 2%MAX
I D = 6.1A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
20
3
4
5 6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
16
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = 10V
10
1
V GS = 0V
12
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
8
4
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J
= -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC855N Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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